About Me
Прыжковая проводимость и магнитосопротивление наноматериалов на основе фуллерита C2N, синтезированных в условиях высокого давления
-----
применимость механизма сжатия локализованного состояния в магнитном поле и спин-поляризационного механизма, учитывающего зависящий от спина вклад от прыжков по двукратно-занятым электронным состояниям
